X射線(xiàn)光電子能譜儀（XPS）
生產(chǎn)廠(chǎng)家：Supra XPS
設(shè)備型號(hào)：AXIS-SUPRA
主要技術(shù)指標(biāo)：
1.能量掃描范圍：-5～3000eV（XPS）；
2.最佳能量分辨率：≤0.45eV（XPS），100meV（UPS）；
3.最佳空間分辨率：≤3 μm (X射線(xiàn)光電子成像)；
4.分析室最佳真空度：優(yōu)于2*10-10 mbar；
5.分析室工作時(shí)的真空度：～2*10-9 mbar（打開(kāi)X射線(xiàn)源的情況下）
應(yīng)用范圍：
光電子能譜是研究材料表面和界面電子及原子結(jié)構(gòu)的最重要手段之一，可提供物質(zhì)表面幾個(gè)原子層的元素定性、定量信息和化學(xué)狀態(tài)信息（3-92號(hào)元素）；可對(duì)非均相覆蓋層（如薄膜）進(jìn)行深度分布分析，了解元素隨深度分布的情況；可對(duì)元素及其化學(xué)態(tài)進(jìn)行成像，給出不同化學(xué)態(tài)的不同元素在表面的分布圖像；還可利用UPS（紫外光電子能譜）研究固體樣品的價(jià)電子和能帶結(jié)構(gòu)及功函數(shù)。廣泛應(yīng)用于固體物理學(xué)、基礎(chǔ)化學(xué)、催化科學(xué)、腐蝕科學(xué)、材料科學(xué)、微電子技術(shù)及薄膜研究。
樣品要求：
1. 檢測(cè)元素：3-92號(hào)元素
2. 樣品無(wú)放射性，無(wú)腐蝕性，無(wú)磁性，無(wú)毒性；
3. 樣品不吸水，在超高真空中及X光照射下不分解，無(wú)揮發(fā)性物質(zhì)（如單質(zhì)Na，K，S，P，Zn，Se，As，I，Te，Hg或者有機(jī)揮發(fā)物），避免對(duì)高真空系統(tǒng)造成污染；不大量放氣（尤其是腐蝕性氣體）；若含有高揮發(fā)性分子或coating，請(qǐng)務(wù)必先行烘烤抽除；高分子樣品在送樣前須進(jìn)行干燥處理。
4. 樣品須為固態(tài)樣品（片狀、塊狀或粉末）：
（1）粉末樣品：徹底干燥，研細(xì)，無(wú)揮發(fā)性，無(wú)腐蝕性，不易變質(zhì)，樣品量20 mg以上；
（2）塊狀樣品：面積小于10 mm*10 mm，高度不超過(guò)2 mm（表面要平整）；
（3）薄膜樣品：面積小于10 mm*10 mm（測(cè)試面要做好標(biāo)記）。
測(cè)試項(xiàng)目及價(jià)格
XPS測(cè)試（表面及深度）：240元/樣（窄掃元素?cái)?shù)量3個(gè)之內(nèi)，每多一個(gè)元素20元）
XPS測(cè)試（mapping）：500元/樣
紫外光電子能譜UPS測(cè)試：400元/樣
測(cè)試說(shuō)明
1. 含量小于2 %的元素有可能測(cè)不出明顯信號(hào)，具體要看元素的靈敏度，如元素的含量比較低需注明，我們會(huì)適當(dāng)增加掃描次數(shù)。
2. 元素窄掃默認(rèn)測(cè)試最強(qiáng)峰，如最強(qiáng)峰和其它元素的峰有重疊默認(rèn)測(cè)試次強(qiáng)峰，如需測(cè)試其它軌道需注明，一個(gè)元素同時(shí)測(cè)試多個(gè)軌道按多個(gè)元素計(jì)費(fèi)。
3. 具有放射性、粘稠潮濕的、易揮發(fā)性、不穩(wěn)定的物質(zhì)和強(qiáng)酸強(qiáng)堿性樣品無(wú)法測(cè)試，例如 S、Na、K 金屬單質(zhì)， Fe 塊，金屬氟化物等。
4. 單次刻蝕深度不超過(guò) 20 nm，總刻蝕深度不超過(guò) 50 nm?？涛g前后均測(cè)試，不收取中間的刻蝕費(fèi)用，只收取相應(yīng)次數(shù)的測(cè)試費(fèi)用。
5. XPS定量分析屬于是半定量分析，誤差較大。特別是對(duì)于C元素定量以及多孔材料的元素定量。
6. XPS測(cè)試總會(huì)有污染碳的存在，用于校準(zhǔn)（C 1s：284.8eV），刻蝕可以避免污染碳的出現(xiàn)。